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產(chǎn)品系列

羅斌森

  • CSD88599Q5DC

  • Manufacturer : Texas Instruments
    Packaging : Cut Tape (CT)
    Alternate Packaging
    Series : NexFET?
    Part Status : Active
    FET Type : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET Feature : Standard
    Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250μA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4840pF @ 30V
    Power - Max : 12W
    Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type : Surface Mount
    Package / Case : 22-PowerTFDFN
    Supplier Device Package : 22-VSON-CLIP (5x6)

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TPS79501QDRBRQ1 TI 8-SON (3x3) New 詳細(xì)
THS3091DDAG3 TI 8-SO PowerPad New 詳細(xì)
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PTN78000HAST TI New 詳細(xì)
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LMH2121TMX/NOPB TI 4-DSBGA New 詳細(xì)
LM5085MMX/NOPB TI 8-VSSOP New 詳細(xì)
TMS320C6742BZWTA2 TI 361-NFBGA (16x16) New 詳細(xì)
TPS51200QDRCRQ1 TI 10-VSON (3x3) New 詳細(xì)
TPD1E10B09DPYT TI 2-X1SON (1x.60) New 詳細(xì)
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TMS320F28PLC84PNTR TI 80-LQFP (12x12) New 詳細(xì)
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